PCB板清洗廢水處理

精密電子(zi)清洗：

 精密電子清洗(xi)包含SMT電(dian)(dian)子清(qing)洗(xi)(xi)、功(gong)率電(dian)(dian)子清(qing)洗(xi)(xi)和先進封裝清(qing)洗(xi)(xi)，清(qing)洗(xi)(xi)后會(hui)產生清(qing)洗(xi)(xi)廢水。

 SMT電(dian)子清洗涵蓋(gai)去除印制電(dian)路(lu)板(PCBA)、鋼網/絲網、誤印板(ban)、SMT回流爐、波峰爐的維護部件(jian)及(ji)夾具上的(de)助(zhu)焊劑及錫膏殘留。對于印制電路板清(qing)洗（PCBA清洗），主(zhu)要目標是去除(chu)電路板(ban)上的(de)松香、樹脂殘留物，以及生產過程中的(de)其他污染，這對后續工序(xu)中的(de)邦線(xian)和塑(su)形(xing)涂敷都是很(hen)有幫助的(de)。清(qing)洗(xi)過程中(zhong)需要加入專用的清(qing)洗(xi)劑，如PCBA清洗一般加入(ru)水洗(xi)(xi)型清洗(xi)(xi)劑(ji)（俗(su)稱(cheng)洗(xi)(xi)板水），清洗工藝上盡管做到了很(hen)大程度的回收利用，但是不可避免的會產生清洗廢水，這類清洗廢水需要通過工藝處理后回用或達標排放。

功(gong)率(lv)(lv)(lv)電子清洗主要去除功(gong)率(lv)(lv)(lv)電子器件，如功(gong)率(lv)(lv)(lv)模(mo)塊/DCB/IGBT、引線框架/分立器件和高(gao)功率LED等元器件上的助焊劑殘(can)留。在(zai)功率電子制造(zao)行業，清洗(xi)IGBT模塊，即DCB（也稱為DBC）是有必要的。首先在(zai)芯(xin)片焊接(jie)之(zhi)后的綁線(xian)工(gong)藝之(zhi)前(qian)，必須準備好潔凈的基材(cai)表面。另(ling)外，基(ji)材焊(han)接(jie)到(dao)散(san)熱單元(yuan)之后，即熱沉焊(han)接(jie)之后，進行DCB清(qing)洗也是必須的。功率模塊清洗工藝的兩個主要需求：1、去除助(zhu)焊劑(ji)殘留物(wu)，尤其是去除飛(fei)濺(jian)在(zai)基材和芯(xin)片(pian)上的助(zhu)焊劑(ji)，2、基材(cai)和芯片經(jing)目檢無(wu)瑕(xia)疵，例如沒有氧化層。此清洗(xi)過程同(tong)樣(yang)會產生(sheng)清洗(xi)廢(fei)水，且(qie)同(tong)樣(yang)需要(yao)通過工藝處理(li)后回用或達(da)標排放。

先進封裝清洗涵蓋了倒(dao)裝芯片，2.5D/3D TSV硅通孔、BGA植球、MEMS、QFN和晶圓級封裝。清洗工藝用于預植球，即焊(han)錫凸塊(kuai)回流工藝(yi)之(zhi)后，去(qu)除(chu)芯片和基材(cai)之(zhi)間(jian)狹小空(kong)間(jian)里的助焊(han)劑殘留物(wu)，為了達(da)到(dao)很好的圖形分辨率，清洗工藝(yi)也需要(yao)攝像模組達(da)到零微(wei)塵和零水痕。去除助焊劑(ji)殘留和微塵殘留，可有(you)效(xiao)避免(mian)圖像(xiang)傳感器上的壞點產生。例如，倒裝芯片 & 2.5D/3D TSV 清(qing)洗(xi)，過倒裝(zhuang)芯片（FlipChip），2.5D封裝（interposer，RDL），3D封裝（TSV）這些系統級封(feng)裝技術將芯片(pian)貼裝后，引線鍵(jian)合、底(di)部填充以(yi)及塑封(feng)成型前(qian)的助焊劑去(qu)除(chu)是至關重要的挑(tiao)戰，特別是對于TSV封裝、不斷提高(gao)的(de)封裝密度和日益縮減的(de)底部間(jian)隙。先進封裝清洗過(guo)程中(zhong)也會產(chan)生清洗廢水需(xu)要處理后回用過(guo)達標排放。

PCB板清洗廢水處理工藝：

工藝流程：

根據(ju)以上精密電子清洗(xi)工藝及清洗(xi)化學(xue)劑的成分綜合考慮，我(wo)們采用工藝流程(cheng)為“預處理+光芬頓+混凝(ning)沉淀+精密過濾(lv)+RO反滲透"，其主(zhu)要(yao)(yao)的(de)COD負荷及核心工(gong)藝為(wei)光芬(fen)頓，此外RO脫鹽的(de)同時，也起(qi)到(dao)(dao)尾端出水(shui)(shui)的(de)水(shui)(shui)質保障功(gong)能(neng)，使出水(shui)(shui)能(neng)達(da)到(dao)(dao)回用要(yao)(yao)求。考慮到(dao)(dao)精(jing)密電子行(xing)(xing)業的(de)占(zhan)地和現場要(yao)(yao)求，將(jiang)該(gai)工(gong)藝標準化設計，集裝箱結構形(xing)式，現場使用和運行(xing)(xing)更加靈(ling)活(huo)。

圖1一體化集成工藝集裝箱設備

光芬頓原理：

Fenton氧化(hua)工藝是利(li)用(yong)Fe²⁺與H₂O₂互相反應得(de)到的(de)強氧化(hua)性的(de)羥基自由基，將廢水中的(de)難降(jiang)解有機(ji)物(wu)加以(yi)降(jiang)解的(de)技術。

把光引進芬頓試劑并不(bu)是普(pu)通芬頓與UV或(huo) H₂O₂的簡單組(zu)合，其核心在(zai)于，在(zai)UV高(gao)強(qiang)光量子(zi)的激發下(xia)，Fe³⁺能夠(gou)重(zhong)新轉化為Fe²⁺，光還原產(chan)生的Fe²⁺繼續與H₂O₂反應，使•OH產率增加，加速有(you)機物(wu)的(de)分解速率，從(cong)而實(shi)現(xian)系統的(de)一(yi)個(ge)閉路循環和控制(zhi)。

此外，紫(zi)外線和Fe²⁺對H₂O₂的催化分解存在協同(tong)效應，即(ji)H₂O₂分解速(su)率遠大于Fe²⁺或紫(zi)外線(xian)催化H₂O₂分(fen)解速率的簡單加(jia)和，這一方面是在光(guang)催化作用下(xia)，部分(fen)Fe³⁺可以轉化為Fe²⁺，另(ling)外鐵的某(mou)些絡合物(wu)在紫外線(xian)作用下會生成羥基(ji)自由(you)基(ji)。

光芬頓優點

1、紫外光和Fe2+對H2O2催化分解(jie)存(cun)在(zai)協同效(xiao)應(ying)，反應(ying)效(xiao)率得到較大提升；

2、Fe3+和Fe2+能(neng)保持良好的循(xun)環反應，提高了傳統芬(fen)頓試劑的效率；

3、能大(da)幅提(ti)升(sheng)鐵(tie)離子的利用(yong)率，鐵(tie)鹽(yan)投加量和(he)污(wu)泥產量較傳統芬頓均降(jiang)低，節省(sheng)運(yun)行成本。