電子級水概念(nian)明晰：

在電(dian)(dian)子(zi)(zi)行業(ye)、半導體行業(ye)中(zhong)，用(yong)水標準(zhun)是極為嚴格的(de)(de)。在這些行業(ye)中(zhong)，無論是材料、電(dian)(dian)子(zi)(zi)元件(jian)、電(dian)(dian)路板，還(huan)是設備等的(de)(de)清洗工(gong)作，對水質(zhi)的(de)(de)要(yao)求都需(xu)要(yao)達到高純(chun)水的(de)(de)級(ji)別。電(dian)(dian)子(zi)(zi)級(ji)水通(tong)常(chang)指需(xu)電(dian)(dian)子(zi)(zi)行業(ye)用(yong)水，其水中(zhong)要(yao)去除(chu)細菌、泥沙、膠(jiao)體、懸(xuan)浮物、金(jin)屬這些導電(dian)(dian)雜質(zhi)。

其電阻率≥18MΩ/cm（25℃，EW-I）。

     《中華人民共和國國家標準:電(dian)子級(ji)水(GB/T 11446.1-2013)》將原電子級(ji)水級(ji)別由5級改為4級，技術(shu)內容增加(jia)了金屬鎳、硝酸根、磷酸根、硫酸根等指標；增加(jia)了有關水的詞匯，本標準由中華(hua)人民共和國電子工業部提出(chu)。本標(biao)準由(you)電子工業部標(biao)準化研(yan)究所歸口。

電子級水檢測指標：

1、電(dian)阻率的(de)測定

2、全硅的測定

3、微粒數的測(ce)定:0.05μm-0.1μm、0.1μm-0.2μm、0.2μm-0.3μm、0.3μm-0.5μm、＞0.5μm

4、水中痕量金屬檢(jian)測項目：銅、鋅、鎳、鈉、鉀(jia)、鐵、鉛、氟、氯(lv)

5、細菌個數的測(ce)定

6、痕量陰離子(zi)檢測(ce)項(xiang)目：亞硝酸(suan)根(gen)(gen)離子(zi)、硝酸(suan)根(gen)(gen)離子(zi)、硫酸(suan)根(gen)(gen)離子(zi)、磷酸(suan)根(gen)(gen)離子(zi)

7、總有機碳得(de)測定

8、溴含量測定

電(dian)子(zi)級水(shui)(shui)(shui)檢測(ce)、高(gao)純水(shui)(shui)(shui)檢測(ce)、電(dian)子(zi)工(gong)業(ye)(ye)清洗用水(shui)(shui)(shui)檢測(ce)，這些適(shi)用于(yu)GB/T 11446系列標準。當然除了(le)電(dian)子(zi)工(gong)業(ye)(ye)，半導體工(gong)業(ye)(ye)，在(zai)微電(dian)子(zi)工(gong)業(ye)(ye)、發電(dian)工(gong)業(ye)(ye)、制藥行業(ye)(ye)以(yi)(yi)及(ji)實驗室等眾(zhong)多(duo)(duo)領域的(de)清洗用水(shui)(shui)(shui)，也可(ke)(ke)以(yi)(yi)參(can)考GB/T 11446檢測(ce)。理論上高(gao)純水(shui)(shui)(shui)的(de)電(dian)阻(zu)率要求(qiu)達到18.3MΩ.cm.很多(duo)(duo)時候(hou)抽檢檢測(ce)只(zhi)需(xu)要檢測(ce)電(dian)阻(zu)率、鈉(na)離子(zi)、全硅(gui)這三(san)個指標即可(ke)(ke)。

超純水之于微(wei)電子(zi)的(de)重(zhong)要性

在微電(dian)子(zi)行業(ye)生產(chan)制備中，超(chao)純水(shui)主(zhu)要用于(yu)清洗(xi)硅片，少量用于(yu)制備藥液(ye)、硅氧(yang)化的水(shui)蒸氣源、一些設備的冷卻水(shui)、制備電(dian)鍍液(ye)等(deng)。微電(dian)子(zi)行業(ye)生產(chan)中80%的工序都需要用高(gao)純水(shui)來清洗(xi)硅片，水(shui)質的好(hao)壞(huai)與(yu)微電(dian)子(zi)產(chan)品的質量和生產(chan)量有(you)很(hen)大關系。

? 水(shui)中的堿(jian)金屬(shu)(K、Na等)會使絕緣膜產生耐壓；

? 重(zhong)金屬(Au、Ag、Cu等(deng))會使(shi)PN結電壓降低；

? III族元素(B、Al、Ga等)會使N型(xing)半導體特(te)性變差，V族元素(P、As、Sb等)會使P型(xing)半導體特(te)性變差；

? 水(shui)中的細(xi)菌經過高溫(wen)碳化(hua)后的磷（約占灰分的20-50%）會使(shi)P型硅片(pian)(pian)的局部區域變成N型硅片(pian)(pian)而導致器(qi)件性能變壞；

水中的微(wei)粒（包括(kuo)細菌）如(ru)吸附在硅片表面，就(jiu)會造成電(dian)路(lu)短路(lu)或特性變(bian)差